近年來，隨著儀器行業(yè)的不斷發(fā)展，CVD管式爐在市場上得到了快速地發(fā)展。由于其突出的表現(xiàn)，受到了廣泛用戶的青睞。目前本產(chǎn)品可以廣泛地應(yīng)用于納米電子學、半導體、光電工程的研發(fā)、涂料等領(lǐng)域，下面我們就來具體的了解一下這款儀器！

　　CVD管式爐與普通設(shè)備完整不同。此外，由于直接著火，任何走漏都可能招致爆炸或火災(zāi)，這也是非消防設(shè)備無法比較的。 加熱式管式爐的爐管壁溫為400-650℃，加熱反響式管式爐（氫轉(zhuǎn)化爐）的壁溫常常在850-1000℃的范圍內(nèi)。高溫爐圈接受低工作壓力，如蒸餾爐，普通1-3mpa，高壓加氫爐，高達18-20mpa。

 CVD管式爐主要由高溫腔體、石英管、石英支架、氣路系統(tǒng)、分子泵機組、自動化控制系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)等組成。

　　1、沉底材料可采用銅箔、石墨等；

　　2、生長腔體采用進口高純石英管，配石英支架、為石墨烯等材料的生長提供潔凈環(huán)境；

　　3、爐膛采用進口高純氧化鋁多晶體纖維，不易掉粉、壽命長且保溫性能好。加熱絲采用摻鉬鐵鉻鋁合金加熱絲，溫場均勻，能耗低；

　　4、密封法蘭均采用不銹鋼材質(zhì)，配水冷套，可連續(xù)長時間工作；

　　5、氣路系統(tǒng)采用兩路質(zhì)量流量計(可拓展多路)，配預混系統(tǒng)；

　　6、氣體種類： He/Ar、C2H2、NH3、N2， H2、PH3、GeH4、B2H6；

　　7、溫度、氣體、真空、冷卻水等通過PLC控制，通過PC實時控制和顯示相關(guān)的實驗參數(shù)，自動保存實驗參數(shù)，也可采用手動控制；

　　8、系統(tǒng)采用集成化設(shè)計，控制系統(tǒng)、混氣罐、質(zhì)量流量計等均內(nèi)置在箱體內(nèi)部，占地面積小。整體安裝四個可移動輪子，方便整體移動。

　　好了！關(guān)于CVD管式爐結(jié)構(gòu)特點的講解，今天我們就說到這里，希望您看完有所收獲，后期我們也會陸續(xù)更新。